Effetto Hall, p-Ge, scheda portante
Prezzo su richiesta
Codice MEPA9904102ABX
In combinazione con il modulo ad effetto Hall per la determinazione della tensione Hall dipendente dalla temperatura e della conduttività di semiconduttori drogati.
Codice:4102ABX
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Descrizione
Funzione e applicazioni
In combinazione con il modulo ad effetto Hall per la determinazione della tensione Hall dipendente dalla temperatura e della conduttività di semiconduttori drogati.
Dotazione e dati tecnici
- Scheda portante riscaldabile con cristallo p-Ge, termocoppia Pt100, riscaldamento integrato e connettori da 4 mm.
- Dimensioni del cristallo (mm): 20 x 10 x 1.
- Spec. resistenza: ca. 2,0 – 2,5 Ohm cm.
- Max. temperatura del cristallo: 170 °C.
- Max. corrente sonda: +/- 60 mA.
- Dimensioni del circuito (mm): 73 x 70 x 3.
- Peso: 0,03 kg
Informazioni aggiuntive
| Destinatari | Docenti, Studenti universitari |
|---|---|
| Tipologia | Apparecchiatura |
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