Conducibilità intrinseca Ge, scheda portante
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Codice MEPA9904103ABX
In combinazione con il modulo ad effetto Hall per la determinazione della conduttività dipendente dalla temperatura di semiconduttori non drogati.
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Descrizione
Funzione e applicazioni
In combinazione con il modulo ad effetto Hall per la determinazione della conduttività dipendente dalla temperatura di semiconduttori non drogati.
Attrezzature e dati tecnici
- Scheda portante riscaldabile con cristallo Ge non drogato e termocoppia Pt100
- Dimensioni del cristallo (mm): 20 x 10 x 1
- Resistenza specifica: ca. 50 Ohm cm
- Max. temperatura del cristallo: 170 °C
- Max. corrente sonda: +/- 10 mA
- Dimensioni del circuito (mm): 73 x 70 x 39
- Peso: 0,03kg
Informazioni aggiuntive
| Disciplina | Fisica |
|---|---|
| Destinatari | Docenti, Studenti universitari |
| Tipologia | Apparecchiatura |
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